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IGBT的通态压降比MOSFET( ),特别是在电流较大的区域。
2024-01-18 20:44:51
2018机车电工新题库(包含政治题)
IGBT的通态压降比MOSFET( ),特别是在电流较大的区域。
A.低
B.高
C.相等
正确答案是A
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IGBT是三端器件,具有栅极G,集电极C和( )。
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表面可以看到斑点,在显微镜下可以看到斑点是由细小的凹坑簇集而成,这种现象是( )。