用末端屏蔽法测量110kV串级电压式互感器的tgδ时,在试品底法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下,其测得值主要反映的是()的绝缘状况。
A.一次绕组对二次绕组及地
B.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组对二次绕组之间
C.铁芯支架
D.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间
正确答案是D
用末端屏蔽法测量110kV串级电压式互感器的tgδ时,在试品底法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下,其测得值主要反映的是()的绝缘状况。
A.一次绕组对二次绕组及地
B.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组对二次绕组之间
C.铁芯支架
D.处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间
正确答案是D