绝缘栅双极晶体管（Insulted-gte Bipolr Trnsistor——IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而

绝缘栅双极晶体管（Insulted-gte Bipolr Trnsistor——IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。

A.正确

B.错误

正确答案是A