绝缘栅双极晶体管（Insulted-gte Bipolr Trnsistor——IGBT）综合了 和 的优

绝缘栅双极晶体管（Insulted-gte Bipolr Trnsistor——IGBT）综合了 和 的优点，因而具有良好的特性。

A.GTO,MOSFET

B.GTR,MOSFET

C.GTO,SCR

D.SCR,MOSFET

正确答案是B