Je3A3242 用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、CX引线接试品、XD端条件下，其测得值主要反映的是( )的绝缘状况。
A.A．一次绕组对二次绕组及地
B.B．处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间
C.C．铁芯支架
D.D．处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间。
正确答案是D
Je3A3242 用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、CX引线接试品、XD端条件下，其测得值主要反映的是( )的绝缘状况。
A.A．一次绕组对二次绕组及地
B.B．处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间
C.C．铁芯支架
D.D．处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间。
正确答案是D